Вольфрам (VI) хлоридє неорганічною сполукою, що складається з вольфраму та хлорних елементів, з хімічною формулою WCL ₆. Він з'являється як темно -синій або синій фіолетовий тонкий кристалічний порошок і легко розчинний у дисульфіді вуглецю та органічних розчинниках, таких як ефір, етанол, бензол та тетрахлорид вуглецю. Він чутливий до вологості і легко розкладається гарячою водою. При нагріванні він буде окислений киснем у повітрі, виробляючи окстенський оксихлорид (WoCl ₄, Wo ₂ cl ₂) або оксид вольфраму. Вольфрамовий гексахлорид, що містить вольфрамовий оксихлорид, дуже сприйнятливий до розкладання водяною парою. В умовах високої температури його можна зменшити за допомогою водневого газу для осадження вольфрамового порошку. Він може бути використаний для осадження пари вольфрамового металу для поліпшення твердості та зносу поверхні матеріалу. У промисловості електроніки це важлива сировина для виробництва монокристалічного вольфрамового дроту. Він також може бути використаний для утворення електропровідного шару на поверхні скла для поліпшення його провідності. Він має хороші каталітичні показники і може бути використаний як каталізатор полімеризації олефіну для сприяння реакціям органічного синтезу. У хімічній промисловості вона використовується для очищення вольфраму та синтезу органічних сполук для підвищення якості продукції та ефективності реакції. Він також широко використовується в таких галузях, як сільське господарство, хімічна інженерія, каталіз нафти та розумне скло.
Додаткова інформація про хімічну сполуку:
|
Хімічна формула |
Cl6w |
|
Точна маса |
393.76 |
|
Молекулярна вага |
396.54 |
|
m/z |
395.76(100.0%),397.76(92.8%),393.76(86.5%),397.76 (79.9%),399.76(74.1%),395.76(69.1%),393.76(52.1%),395.77(48.4%), 394.76 (46.7%), 391.76 (45.1%), 396.76 (37.3%), 399.76 (34.1%), 401.76 (31.6%), 397.75 (29.4%), 392.76 (24.4%), 398.75 (15.9%), 401.75 (8.2%), 403.76 (7.6%), 399.75 (7.1%), 400.75 (3.8%), 403.75 (1.0%) |
|
Елементальний аналіз |
CL, 53.64; W, 46.36 |
|
Точка плавлення |
275 градусів (літ.) |
|
Точка кипіння |
347 градусів (літ.) |
|
Щільність |
3,52 г/мл при 25 градусах (LIT.) |
|
|
 |
Вольфрам (VI) хлорид, з хімічною формулою WCL ₆, є важливою неорганічною сполукою. Він відіграє важливу роль у різних галузях, таких як хімічна інженерія, матеріалознавство та електроніка завдяки унікальним хімічним властивостям та широкому спектру застосувань. Нижче наведено його використання:
Застосування в галузі хімічної інженерії
Він може бути використаний як реагент для участі в різних органічних реакціях, таких як галогенізовані реакції, реакції додавання тощо. У реакціях галогенізації гексахлорид вольфраму може зазнавати реакцій заміщення атомами водню в органічних сполуках для утворення галогенованих сполук. Ця реакція має широке застосування в органічному синтезі і може бути використана для приготування сполук, таких як галогенізовані вуглеводні та галогеновані спирти. Крім того, реакції, гексахлорид вольфраму може зазнавати реакцій додавання з ненасиченими сполуками, такими як олефіни та алкіни, для отримання продуктів додавання. Ця реакція також має велике значення в органічному синтезі і може бути використана для приготування сполук, таких як спирти, ефіри, кетони тощо. Це також може служити каталізатором для сприяння різним органічним реакціям. Як було сказано раніше, вольфрамовий гексахлорид демонструє відмінні каталітичні показники в полімеризації олефіну, реакцій естерифікації, реакцій ізомеризації та реакцій окислення. Регулюючи умови реакції та дозування каталізаторів, ступінь реакції та селективності продукту можна контролювати, що призводить до органічних сполук з різними властивостями. Він також діє як ліганд, утворюючи металеві органічні сполуки з іонами металів.
Роль в неорганічному синтезі
Тунльфрам Гексахлорид можна використовувати як сировину або проміжну для участі в різних неорганічних реакціях. Це одна з важливих сировинних матеріалів для підготовки інших вольфрамових сполук. Через хімічні реакції, вольфрамовий гексахлорид може бути перетворений у такі сполуки, як окресд вольфраму, вольфрамовий карбід та нітрид вольфраму. Ці сполуки мають широкі програми в таких галузях, як промисловість матеріалів та електроніки. Наприклад, оксид вольфраму можна використовувати для приготування фотокаталітичних матеріалів, датчиків газу тощо; Карбід вольфраму можна використовувати для підготовки важких інструментів різання сплавів, форми тощо. Він також може брати участь у різних неорганічних реакціях як проміжний продукт. Наприклад, при приготуванні певних складних неорганічних сполук вольфраму гексахлориду можна спочатку реагувати з іншими сполуками, щоб утворити проміжні продукти, а потім цільовий продукт можна отримати за допомогою подальших реакцій. Цей метод має велике значення в неорганічному синтезі і може бути використаний для приготування неорганічних матеріалів із специфічними структурами та властивостями.
Осадження пари - це загально використовувана методика модифікації поверхні матеріалу, яка може утворювати щільне покриття на поверхні підкладки. Тунльцент -гексахлорид - одна з важливих сировини для підготовки вольфрамових покриттів методом осадження пари. За допомогою таких методів, як хімічне осадження пари (ССЗ) або фізичне осадження пари (ПВД), вольфрамотний гексахлорид може бути розкладений на метал вольфраму, а щільне вольфрамове покриття може бути утворене на поверхні субстрату. Це покриття має високу твердість, високу стійкість до зносу та хорошу провідність, і широко використовується в таких полях, як інструменти для різання, форми та електронні компоненти. Моднористалічний вольфрамовий дріт - важливий електронний матеріал з високою температурою плавлення, високим опором та хорошою термічною стійкістю. Тунгстен Гексахлорид - одна з важливих сировинних матеріалів для виробництва монокристалічного вольфрамового дроту.
Застосування в підготовці матеріалу та обробці поверхні
Тунльцент -гексахлорид може бути перетворений на монокристалічний вольфрамовий дріт за допомогою таких методів, як хімічне осадження пари або фізичне осадження пари. Цей монокристалічний вольфрамовий дріт має широкий спектр застосувань у таких полях, як викиди електронів та гарячі джерела електронів. Він також може бути використаний для утворення електропровідного шару на поверхні скла. Використовуючи такі методи, як хімічне осадження пари або фізичне осадження пари, на поверхні скла може бути осаджено вольфраму гексахлориду, утворюючи щільну вольфрамову плівку. Цей електропровідний шар має високу прозорість, низький опір і хорошу адгезію, і широко використовується в таких полях, як сенсорні екрани та сонячні батареї. Крім того, вольфрамовий гексахлоридний струмопровідний шар також може бути використаний для приготування нових матеріалів, таких як розумне скло, досягнення автоматичного регулювання пропускання скла.
Застосування в галузі електроніки
У промисловості електроніки вольфрам широко використовується при виробництві різних електронних компонентів завдяки високій температурі плавлення, високої твердості, хорошої провідності та термічної стійкості.Вольфрам (VI) хлорид, як важлива сировина для приготування вольфрамових покриттів, може утворювати щільні вольфрамові покриття на поверхні підкладки за допомогою таких методів, як хімічне осадження пари (ССЗ) або фізичне осадження пари (PVD). Це вольфрамове покриття має високу твердість, високу стійкість до зносу та хорошу провідність, що може значно покращити продуктивність та термін експлуатації електронних компонентів. Наприклад, у виробництві напівпровідникових пристроїв вольфрамовий гексахлорид може бути використаний для підготовки бар'єрних шарів дифузії. Дифузійний бар'єрний шар - це ключовий шар, який запобігає атомам домішок від дифунду на поверхню напівпровідникових мікросхем і суттєво впливає на продуктивність та надійність пристрою. Завдяки хімічному осадженню пари, вольфрамового гексахлориду може розкладатися на металевий вольфрам і утворювати щільний вольфрамовий бар'єрний шар на поверхні напівпровідникових мікросхем, ефективно запобігаючи дифузії атомів домішок.
Застосування у виробництві мікроелектронних пристроїв
У виробництві інтегрованих ланцюгів металеві взаємозв'язки є ключовими компонентами, які з'єднують різні електронні компоненти. Тунгстен гексахлорид може використовуватися як одна з сировини для приготування металевих взаємозв'язків, утворюючи щільний металевий шар вольфраму на поверхні мікросхеми, такі як хімічне осадження пари. Цей металевий шар вольфраму має хорошу провідність та теплову стабільність, що може задовольнити попит на високоефективні металеві взаємозв'язки в інтегрованих схемах. У виробництві інтегрованих ланцюгів контактні отвори та через отвори є ключовими каналами для підключення електронних компонентів на різних рівнях. Гекахлорид вольфраму може використовуватися як одна з сировини для заповнення контактних отворів та через отвори, утворюючи щільний металевий шар вольфраму в отвори, такі методи, як хімічне осадження пари. Цей металевий шар вольфраму має хорошу наповнення та провідність, що може значно підвищити продуктивність та надійність інтегрованих схем.
У промисловості електроніки провідна обробка скляної поверхні є одним із ключових кроків для досягнення хорошого контакту між склом та електронними компонентами. Тунльцент -гексахлорид може бути використаний як одна з сировини для провідних очисних засобів, утворюючи щільний металевий шар вольфраму на поверхні скла, такі як хімічне осадження пари. Цей вольфрамовий металевий шар має хорошу провідність та адгезію, яка може досягти хорошого контакту між скляними та електронними компонентами та покращити продуктивність та надійність електронних компонентів. Tungsten Hexachloride також відіграє важливу роль у процесі упаковки та взаємозв'язку мікроелектронних пристроїв. Наприклад, у упаковці Flip Chip вольфраму гексахлориду може використовуватися як одна з сировини для скріплюючих матеріалів, утворюючи щільний вольфрамовий металевий шар між мікросхемою та підкладкою за допомогою таких методів, як хімічне осадження пари. Цей вольфрамовий металевий шар має хорошу провідність та теплову стабільність, яка може досягти хорошого взаємозв'язку між мікросхемами та субстратами та покращити продуктивність та надійність упакованих пристроїв.
Дослідження в нових полях застосування
Завдяки швидкому розвитку гнучких електронних пристроїв попит на високопродуктивну та високу стабільність електронні матеріали збільшуються з кожним днем.Вольфрам (VI) хлорид, як електронний матеріал з чудовими електричними властивостями та тепловою стійкістю, показав широкі перспективи застосування при підготовці гнучких електронних пристроїв. Наприклад, гексахлорид вольфраму може бути використаний для підготовки ключових компонентів, таких як гнучкі електроди та гнучкі взаємозв'язки, забезпечуючи сильну підтримку розвитку гнучких електронних пристроїв. Тривимірна технологія інтеграції є одним із важливих засобів для покращення ступеня інтеграції та продуктивності інтегрованих схем. Тунгстен Гексахлорид, як електронний матеріал з відмінною наповненням та провідністю, відіграє важливу роль у впровадженні тривимірної технології інтеграції. Наприклад, гексахлорид вольфраму може бути використаний для заповнення отворів та контакту отворів у тривимірних інтегрованих структурах, досягаючи хорошого взаємозв'язку між електронними компонентами на різних рівнях та підвищенням продуктивності та надійності інтегрованих ланцюгів.
Популярні Мітки: Tungsten (vi) хлорид Cas 13283-01-7, постачальники, виробники, фабрика, оптова торгівля, купівля, ціна, масова, для продажу